受試器件應以一定的方式安裝、暴露在規(guī)定的溫濕度環(huán)境中，并施加規(guī)定的偏置電壓。器件應避免暴露于過熱、干燥或導致器件和工裝夾具上產生冷凝水的環(huán)境中，尤其在試驗應力上升和下降過程中。

實驗程序：

1、預處理

適用時，應按照相關標準進行預處理。

2、初始檢測

試驗樣品應按照相關標準規(guī)定，進行外觀檢查和電氣參數(shù)測試。

3、上升

達到穩(wěn)定的溫度和相對濕度的時間應少于3h。通過保證在整個試驗時間內高低溫濕熱試驗箱的干球溫度超過濕球溫度來避免產生冷凝。

4、下降

下降時間應不超過3h。通過保證在整個試驗時間內高低溫濕熱試驗箱的干球溫度超過濕球溫度來避免產生冷凝。

5、器件內部濕氣穩(wěn)定時間

由于濕氣穿透器件外殼并抵達芯片表面需要一定的時間，因此當高低溫濕熱試驗箱內環(huán)境溫度和濕度達到穩(wěn)定后，應繼續(xù)保持直至濕氣完全抵達芯片表面。由于環(huán)氧樹脂相較于硅膠，其抵御濕氣進入的能力強得多，因此對于環(huán)氧樹脂封裝器件穩(wěn)定時間不少于336h，硅膠封裝器件穩(wěn)定時間不少于24h。

6、試驗計時

器件按6.5的要求進行充分穩(wěn)定后，開始施加規(guī)定的偏置電壓，此時試驗計時開始。當達到規(guī)定的持續(xù)時間，溫濕度開始下降時計時結束。

7、施加偏置電壓

器件按6.5的要求進行充分穩(wěn)定后，開始施加規(guī)定的偏置電壓。當試驗結束且恢復完成后，再將偏置電壓移除。施加偏置電壓時，若受試器件為絕緣柵雙極晶體管(IGBT)或場效應晶體管(MOSFET)，其柵極和發(fā)射極或柵極和源極之間應可靠短路或施加負壓。

8、中間檢測

如果要求進行中間檢測，當檢測完成后，應重新按6.5的要求充分穩(wěn)定后，再施加偏置電壓并重新計時。

9、完成檢測

試驗結束，試驗樣品恢復常溫后，在48h內應按照相關標準規(guī)定，進行外觀檢查和電氣參數(shù)測試。

10、失效判據(jù)

如果器件不能通過規(guī)定的終測試，或按照適用的采購文件和數(shù)據(jù)表中規(guī)定的正常和極限環(huán)境中不能驗證其功能，器件視為失效。

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